优化的IGBT专为具有快速响应的中频应用而设计,为用户提供最高可用效率。利用经过优化的FRED二极管,为IGBT提供最佳性能
特色
- 低VCE(ON)沟槽IGBT技术
- 低开关损耗
- 最高结温175°C
- 5μS短路SOA
- 方形RBSOA
- 100%的部件经过ILM测试
- 正VCE(ON)温度系数
- 紧密的参数分布
- 无铅包装
- 广泛应用中的高效率
- 由于低VCE(ON)和低开关损耗,适用于宽范围的开关频率
- 坚固的瞬态性能提高了可靠性
- 并联运行时的良好均流
- 低电磁干扰
应用
- 制冷剂
起订量: 1
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优化的IGBT专为具有快速响应的中频应用而设计,为用户提供最高可用效率。利用经过优化的FRED二极管,为IGBT提供最佳性能
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。