9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SGH23N60UFDTU,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SGH23N60UFDTU参考价格为36.018美元。onsemi SGH23N60UFDTU封装/规格:IGBT 600V 23A 100W TO3P。您可以下载SGH23N60UFDTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SGH23N60UFDTU价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SGH20N60RUFDTU是IGBT 600V 32A 195W TO3P,包括管封装,它们设计用于SGH20N50RUFDDU_NL零件别名,单位重量如数据表注释所示,用于0.225789盎司,具有通孔等安装类型特征,封装外壳设计用于to-3P-3、SC-65-3以及标准输入类型,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为TO-3PN,该设备为单配置,该设备最大功率为195W,反向恢复时间trr为95ns,集电器Ic最大值为32A,集电器-发射极击穿最大值为600V,集电器脉冲Icm为60A,最大Vge Ic上的Vce为2.8V@15V,20A,开关能量为524μJ(开),473μJ(关),栅极电荷为55nC,25°C时的Td为30ns/48ns,测试条件为300V、20A、10欧姆、15V,Pd功耗为195 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V,集电极/发射极饱和电压为2.2 V,25℃时的连续集电极电流为32A,栅极发射极漏电流为+/-100nA,最大栅极发射极电压为+/-20V,连续集电极电压Ic-Max为32A。
SGH20N60RUFD是由FAIRCHILD制造的IGBT 600V 32A 195W TO3P。SGH20N60RUFD提供TO-3P-3、SC-65-3封装,是IGBT的一部分-单体,支持600V 32A 195W TO3P。
SGH23N60UF是FSC制造的IGBT 600V 23A 100W TO3P。SGH23N60UF采用TO-3P-3、SC-65-3封装,是IC芯片的一部分,支持IGBT 600V 23A 100W TO3P。