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AFGHL75T65SQDT

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 62.08981 62.08981
200+ 24.03510 4807.02140
450+ 23.18384 10432.72890
900+ 22.77397 20496.57660
  • 库存: 0
  • 单价: ¥62.08982
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥62.09
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 75A
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 反向恢复时长 (trr) 75 ns
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大功率 375瓦
  • 门电荷 136 nC
  • 试验条件 400V, 75A, 4.7欧姆, 15V
  • 开关能量 2.12mJ (on), 1.14mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 24ns/106ns

AFGHL75T65SQDT 产品详情

AFGHL75T65SQDT所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),AFGHL75T65SQDT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFGHL75T65SQDT价格参考¥62.089818,你可以下载 AFGHL75T65SQDT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFGHL75T65SQDT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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