9icnet为您提供由onsemi设计和生产的TF202THC-L5-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TF202THC-L5-TL-H参考价格为28.688112美元。onsemi TF202THC-L5-TL-H包装/规格：JFET N-CH 1MA 100MW。您可以下载TF202THC-L5-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TF202THC-5-TL-H是JFET N-CH 1MA 100MW VTFP，包括TF202THC系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，数据表注释中显示了用于3-SMD扁平引线的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在3-VTFP中工作，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，功率最大值为100mW，该器件提供210μA@5V漏电流Ids Vds Vgs=0，该器件具有1mA的漏电流Id最大值，电压切断Vgs关闭Id为200mV@1μA，输入电容Ciss Vds为3.5pF@5V，Pd功耗为100 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，并且Id连续漏极电流为350uA，Vds漏极-源极击穿电压为5V，晶体管极性为N沟道，Vgs栅源击穿电压为-20V，栅源截止电压为-0.2V至-1V。
TF202THC-4-TL-H是JFET N-CH 0.1W VTFP，包括200mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计为在-20 V VGS栅极-源极击穿电压下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N通道，提供供应商设备包功能，如3-VTFP，系列设计用于TF202THC，以及100mW最大功率，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为3-SMD，扁平引线，器件为表面安装安装型，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Ciss Vds为3.5pF@5V，栅源截止电压为-1 V，FET类型为N沟道，电流漏极Idss Vds Vgs=0为140μA@5V，电流漏极Id Max为1mA，配置为Single。
TF202THC-3-TL-HX（带电路图），更多TF202THC-3-TL-HX信息请联系技术支持团队。
