TF262TH-5-TL-H

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TF262TH-4-TL-H，带有引脚详细信息，包括TF262TH系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如3-SMD、扁平引线，安装类型设计用于表面安装，以及VTFP供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为100mW，该器件具有140μa@2V的漏电流Idss Vds Vgs=0，漏电流Id最大值为1mA，电压截止Vgs关断Id为200mV@1μa，输入电容Ciss Vds为3.5pF@2V，Pd功耗为100 mW，Id连续漏电流为1 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极间击穿电压为-20 V，栅极-源截止电压为-1V。

TF2618是AOS制造的MOSFET N-CH 60V 16A TO220F。TF2618在TO-220-3全封装包中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 16A TO220F。

TF261RM-E2，电路图由ROHM制造。TF261RM-E2在SSOP24包中提供，是IC芯片的一部分。