特色
- 低IGSS最大0.5nA
- 低泄漏JFET高灵敏度传感器模块
- 低IDSS 0.055-0.095mA
- 通过低漏极电流JFET降低功耗
- Ultrasmall封装允许2SK545应用套件紧凑
- 小型Cis
应用
- 阻抗转换器应用
- 红外传感器
2SK545-11D-TB-E
- 描述:场效应管类型: n通道 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SMCP
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥2.07877
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.08
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 电阻-RDS(On) -
- 击穿电压（V（BR）GSS） -
- 供应商设备包装 SMCP
- 工作温度 -
- 最大正向电流 (Id) 1毫安
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 最大功率 125毫瓦
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 1.5伏@1A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为1.7皮法
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60 A @ 10 V
2SK545-11D-TB-E 产品详情
2SK545-11D-TB-E是用于阻抗转换器应用的N沟道JFET，40V，55至95uA，0.10mS，CP。
2SK545-11D-TB-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK545-11D-TB-E所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2SK545-11D-TB-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK545-11D-TB-E价格参考￥2.078770，你可以下载 2SK545-11D-TB-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK545-11D-TB-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
