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IRG4RC10SDPBF

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 38瓦 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 313

  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.79432
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,813.62
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规格参数

  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 部件状态 过时的
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大整流电流 (Icm) 18A
  • 门电荷 15 nC
  • 最大功率 38瓦
  • 供应商设备包装 D-Pak
  • 最大集电极电流 (Ic) 14 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@15V,8A
  • 开关能量 310J (on), 3.28mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 76ns/815ns
  • 试验条件 480V, 8A, 100欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 28纳秒

IRG4RC10SDPBF 产品详情

IRG4RC10SDPBF是具有超快软恢复二极管的绝缘栅双极晶体管。IGBT与HEXFRED共同封装™ 用于桥接配置的超快、超软恢复反并联二极管。最大限度地减少逆变器驱动中3kHz PWM频率的功耗,无刷DC驱动中4kHz的功耗。六边形™ 针对IGBT性能优化的二极管。最小化的恢复特性需要较少/不需要强行起下钻作业。

特色

  • 紧密的参数分布
  • 高效率
  • 针对特定应用条件进行了优化
  • 比MOSFET的传导损耗和二极管损耗更低
  • 1.1V(2A时)典型极低电压降
IRG4RC10SDPBF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IRG4RC10SDPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRG4RC10SDPBF价格参考¥5.794320,你可以下载 IRG4RC10SDPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRG4RC10SDPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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