9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的DSK9J01Q0L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DSK9J01Q0L参考价格为37.985588美元。Rohm Semiconductor DSK9J01Q0L封装/规格：TRANS JFET N-CH 30MA SMD。您可以下载DSK9J01Q0L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DSK5J01Q0L是JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，包装箱如数据表注释所示，用于SC-85，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI3-F2-B以及单一配置，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，功率最大值为150mW，该器件提供55V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2mA@10V的电流漏极Idss Vds Vgs=0，电流漏极Id最大值为30mA，电压截止Vgs关断Id为5V@10μa，输入电容Ciss Vds为6pF@10V，Pd功耗为150mW。其最大工作温度范围为+85 C，它的最小工作温度范围为-40℃，Id连续漏电流为30 mA，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为2.5 mS，Vgs栅源击穿电压为-55 V，栅源截止电压为-5 V。
DSK9J01P0L是JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3，包括5V@10μA电压切断VGS关断Id，它们设计为在-55V VGS栅极-源极击穿电压下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N通道，提供供应商设备包功能，如SSMINI3-F3-B，功率最大设计为125MW，以及125MW Pd功耗，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SC-89、SOT-490，该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为6pF@10V，栅极-源极截止电压为-5 V，FET类型为N沟道，漏极-源极电压Vdss为55V，电流-漏极Ids-Vgs=0为1mA@110V，电流-源极Id最大值为30mA。
DSK5J01R0L是JFET结型FET，包括30mA漏极到源极电压Vdss，它们设计为在-5 V栅极-源极截止电压下工作，数据表说明中显示了SMini3-F2-B中使用的封装情况，该SMini3-F1-B提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为在150mW下工作，该器件也可以用作-55V Vgs栅源击穿电压。
