优化的IGBT设计用于具有快速响应的中频应用,为用户提供最高可用效率。这些器件使用经过优化的FRED二极管,为IGBT提供最佳性能
特色
- 低VCEon非穿通IGBT技术
- 低二极管VF
- 10µs短路能力
- 方形RBSOA
- 超软二极管反向恢复特性
- 正VCEon温度系数
- 电机控制基准效率
- 坚固的瞬态性能
- 低电磁干扰
- 并联运行时的良好均流
应用
潜在应用
起订量: 125
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 84.37191 | 8437.19190 |
1000+ | 79.59636 | 79596.36400 |
3000+ | 70.84048 | 212521.44000 |
10000+ | 63.04756 | 630475.69000 |
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优化的IGBT设计用于具有快速响应的中频应用,为用户提供最高可用效率。这些器件使用经过优化的FRED二极管,为IGBT提供最佳性能
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。