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MMBFJ177LT1

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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大正向电流 (Id) -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 电阻-RDS(On) -
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) -
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 击穿电压(V(BR)GSS) -
  • 场效应管类型 -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 部件状态 过时的

MMBFJ177LT1 产品详情

该P沟道JFET器件设计用于模拟开关和斩波器应用。

特色

  • 低rDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间


(图片:引出线)

MMBFJ177LT1所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),MMBFJ177LT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBFJ177LT1价格参考¥139.673532,你可以下载 MMBFJ177LT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBFJ177LT1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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