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FGH75T65SHDTL4带有引脚细节，包括管封装，它们设计为通孔安装型，数据表注释中显示了用于to-247-4的封装盒，该to-247-44提供标准等输入型功能，安装型设计为通孔内工作，以及to-247供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，功率最大值为455W，该器件以76ns反向恢复时间trr提供，该器件具有150A的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为650V，IGBT类型为磁场停止，电流收集器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，开关能量为1.06mJ（开），1.56mJ（关），栅极电荷为126nC，25°C时的Td为55ns/189ns，测试条件为400V、75A、15 Ohm、15V，Pd功耗为455W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，25 C时的连续集电极电流为150 A，栅极-发射极漏电流为400nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为150A。
FGH75T65UPD是IGBT 650V 150A 375W TO-247AB，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.3V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供400V、75A、3 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，1.2mJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为85ns，该设备的最大功率为375W，该设备具有187 W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+175 C，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为400nA，栅极电荷为385nC，集流器脉冲Icm为225A，集流电流Ic Max为150A，25℃时的连续集流器电流为150A，集电极-发射极电压VCEO Max为650V，集电极-发射器饱和电压为2.3V。
FGH75T65SQD_F155带有电路图，包括150A集流器Ic Max，它们设计为与300A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于128nC的栅极电荷，该128nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备最大功率为375W，设备反向恢复时间为43ns，供应商设备包装为TO-247，开关能量为760μJ（开）、180μJ（关），集电极-发射极击穿最大值为650V。
