9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGH75T65UPD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGH75T65UPD价格参考2.89000美元。onsemi FGH75T65UPD封装/规格：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB。您可以下载FGH75T65UPD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGH75T65SHDT_F155带有引脚细节，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于SiC，以及标准输入类型，该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为455W，反向恢复时间trr为76ns，集电器Ic最大值为150A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为225A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，开关能量为3mJ（开），750μJ（关），栅极电荷为123nC，25°C时的Td为28ns/86ns，测试条件为400V，75A，3欧姆，15V，Pd功耗为455W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，25℃时的连续集电极电流为150A，栅极-发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为75A。
FGH75T65SHDTL4，带有用户指南，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、75A、15欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如55ns/189ns，开关能量设计为1.06mJ（开）、1.56mJ（关），以及TO-247供应商设备包，该设备也可以用作76ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为455W，该器件提供455W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-247-4，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，IGBT类型为场截止，栅极-发射极漏电流为400nA，栅极电荷为126nC，集电极脉冲Icm为300A，集电极Ic Max为150A，连续集电极电流Ic Max是150A，25℃下的连续集电极电流为150A，集电极-发射极电压VCEO Max为650V，集电极-发射器饱和电压为1.6V。
FGH75T65SQD_F155带有电路图，包括150A集流器Ic Max，它们设计为与300A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于128nC的栅极电荷，该128nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备最大功率为375W，设备反向恢复时间为43ns，供应商设备包装为TO-247，开关能量为760μJ（开）、180μJ（关），集电极-发射极击穿最大值为650V。
