9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGH40T65SPD-F155，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGH40T65SPD-F155参考价格为3.05000美元。onsemi FGH40T65SPD-F155封装/规格：IGBT 650V 80A 267W TO-247。您可以下载FGH40T65SPD-F155英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FGH40T65SH_F155带有引脚细节，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于SiC，以及标准输入类型，该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为268W，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，40A，开关能量为1.01mJ（开），297μJ（关），栅极电荷为72.2nC，25°C时的Td为19.2ns/65.6ns，测试条件为400V、40A、6 Ohm、15V，Pd功耗为268 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极最大电流Ic为40A。
FGH40T65SHDF_F155带有用户指南，包括650V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计用于在1.81V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供400V、40A、6 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，440μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为101ns，该设备的最大功率为268W，该设备具有268W的Pd功耗，包装为管状，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极发射极电压为30V，输入类型为标准型，IGBT类型为场停止型，栅极发射极漏电流为400nA，栅极电荷为68nC，集电极脉冲Icm为120A，集电极Ic Max为80A，连续集电极电流Ic Max是80A，25 C时的连续集电极电流为80A，集电极-发射极电压VCEO Max为650V，集电极-发射器饱和电压为1.45V。
FGH40T65SHD_F155带有电路图，包括80A集流器Ic Max，它们设计用于120A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于72.2nC，提供IGBT类型功能，如沟槽场阻，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备提供268W最大功率，设备具有31.8ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247，开关能量为1.01mJ（开），297μJ（关），25°C时的Td为19.2ns/65.6ns，测试条件为400V，40A，6 Ohm，15V，单位重量为0.225401 oz，最大Vge Ic的Vce为2.1V@15V，40A，集电极-发射极击穿最大值为650V。
