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APT30GF60JU3是IGBT 600V 58A 192W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供ISOTOP等商标特征，包装箱设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及底盘安装安装类型，该设备也可以用作ISOTOPR供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备最大功率为192W，集电器Ic最大值为58A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为40μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.85nF@25V，NTC热敏电阻为否，Pd功耗为192 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25 C时的连续集电极电流为58 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APT30GF60JU2是IGBT 600V 58A 192W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名功能，供应商设备包设计用于SOT-227，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作192W最大功率。此外，Pd功耗为192W，该设备采用ISOTOP封装盒，该设备具有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为1.85nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，栅极发射极泄漏电流为100 nA，集流器Ic最大值为58A，集流管截止电流最大值为40μA，25 C时的连续集流器电流为58A，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为2.1V。
APT30F60J是分立半导体模块功率FREDFET-MOS8，包括单配置，它们设计为在44 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于31 a，提供安装类型功能，如螺丝，封装盒设计用于SOT-227-4，以及散装封装，该器件也可以用作355W Pd功率耗散。此外，该产品是功率MOSFET模块，该器件的漏极-源极电阻为120 mOhms Rds，该器件具有55 ns的上升时间，商品名为Power MOS 8 ISOTOP，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为145 ns，典型接通延迟时间为48 ns，单位重量为1.058219盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V。
