9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGH40T100MD-F155，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGH40T100SMD-F155参考价格$4.78082。onsemi FGH40T100SMD-F155封装/规格：IGBT 1000V 80A 333W TO247-3。您可以下载FGH40T100SMD-F155英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FGH40T100SD-F155价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FGH40T100SMD是IGBT 1000V 80A 333W TO247-3，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247-3供应商设备包。此外，功率最大值为333W，该器件提供78ns反向恢复时间trr，该器件具有80A的集流器Ic Max，集流器-发射极击穿最大值为1000V，IGBT类型为沟槽磁场停止，集流脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为2.35mJ（开），1.15mJ（关），栅极电荷为265nC，25°C时的Td为29ns/285ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为333 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1000 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极-发射极漏电流为500nA，最大栅极-发射极电压为20V。
FGH40N6S2D是IGBT 600V 75A 290W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、20A、3欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如8ns/35ns，开关能量设计为在115μJ（开）、195μJ（关）下工作，以及TO-247供应商设备包，该设备也可以用作48ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为290W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为35nC，集电器脉冲Icm为180A，集电器Ic最大值为75A。
FGH40N6S2是IGBT 600V 75A 290W TO247，包括75A集流器Ic Max，设计用于180A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于35nC的栅极电荷，该35nC提供输入型功能，如标准，安装型设计用于通孔，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为290W，该设备在TO-247供应商设备包中提供，该设备具有115μJ（开）、195μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为8ns/35ns，测试条件为390V、20A、3欧姆、15V，最大Vge Ic为2.7V@15V、20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
