9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT50GN60BG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT50GN60BG价格参考4.90500美元。微芯片技术APT50GN60BG封装/规格：IGBT 600V 107A 366W TO247。您可以下载APT50GN60BG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT50GN60BDQ2G是IGBT 600V 107A 366W TO247，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247[B]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为366W，该设备具有107A的集流器Ic Max，集流器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集流脉冲Icm为150A，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，50A，开关能量为1185μJ（开），1565μJ，栅极电荷为325nC，25°C时的Td为20ns/230ns，测试条件为400V、50A、4.3 Ohm、15V，Pd功耗为366W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为107 A，且栅极-发射极漏电流为600nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且连续集电极电流Ic-Max为107A。
APT50GN120L2DQ2G是IGBT 1200V 134A 543W TO264，包括1200V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.373904 oz，提供800V、50V、2.2 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，除了4495μJ（关断）开关能量外，该器件还可以用作543W最大功率。此外，Pd功耗为543W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-264-3、TO-264AA封装外壳，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150 C，最大栅极发射极电压为30 V，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，沟槽场截止，栅极发射极泄漏电流为600 nA，栅极电荷为315nC，集电极脉冲Icm为150A，集电极Ic最大值为134A，连续集电极电流Ic最大为134 A，25℃时的连续集电极电流为134 A，配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极-发射器饱和电压为1.7 V。
APT50GN60BDQ是由APT制造的600V 107A 366W TO247 IGBT。APT50GND60BDQ采用TO-247-3封装，是IGBT的一部分-单体，并支持600V 107A 36W TO247。
