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APT30GP60LDLG是IGBT 600V 100A 463W TO264，包括管封装，它们设计为与to-264-3、to-264AA封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-264中工作，以及463W最大功率，该器件还可以用作100A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件为PT IGBT型，该器件具有120A集流脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，30A，开关能量为260μJ（开），250μJ（关），栅极电荷为90nC，25°C下的Td为13ns/55ns，测试条件为400V、30A、5 Ohm、15V。
APT30GS60BRDLG是IGBT 600V 54A 250W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.15V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、30A、9.1 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如16ns/360ns，开关能量设计为在570μJ（关断）下工作，除了TO-247供应商设备包外，该设备还可作为250W最大功率使用。此外，该设备的包装为Tube，该设备在TO-247-3封装盒中提供，该设备具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为145nC，集电器脉冲Icm为113A，集电器Ic最大值为54A。
APT30GP60JDQ1是IGBT 600V 67A 245W SOT227，包括单一配置，它们设计用于500μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于67A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及3.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为No，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装盒，该器件最大功率为245W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
