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RJH60D6DPM-00#T1,带有引脚细节,包括管封装,它们设计用于to-3PFM、SC-93-3封装盒,输入类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备封装设计用于to-3 PFM,以及50W最大功率,该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外,电流收集器Ic最大值为80A,该器件提供600V电压收集器-发射器击穿最大值,该器件具有IGBT型沟槽,最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V,40A,开关能量为850μJ(开)、600μJ(关),栅极电荷为104nC,25°C下的Td为50ns/160ns,测试条件为300V、40A、5欧姆、15V。
RJH60D5DPM-00#T1带用户指南,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、37A Vce运行,测试条件如数据表注释所示,用于300V、37V、5 Ohm、15V,提供Td开-关25°C功能,如50ns/135ns,开关能量设计为在650μJ(开)、270μJ(关)下工作,以及TO-3PFM供应商设备包,该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外,最大功率为45W,该器件采用管式封装,该器件具有TO-3PFM,SC-93-3封装外壳,安装类型为通孔,输入类型为标准,IGBT类型为沟槽,栅极电荷为78nC,集流器Ic最大值为75A。
RJH60D6DPK-00#T0,带有电路图,包括80A集流器Ic Max,它们设计用于104nC栅极充电,数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型,该沟槽提供输入类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,以及to-3P-3、SC-65-3封装盒,该设备也可以用作管封装。此外,功率最大值为260W,该设备提供100ns反向恢复时间trr,该设备具有供应商设备包的TO-3P,开关能量为850μJ(开)、600μJ(关),25°C时的Td为50ns/160ns,测试条件为300V、40A、5 Ohm、15V,最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、40V,电压收集器-发射器击穿最大值为600V。