9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT44GA60BD30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT44GA60BD30参考价格6.45000美元。Microchip Technology APT44GA60BD30封装/规格：IGBT 600V 78A 337W TO-247。您可以下载APT44GA60BD30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT44F80L是MOSFET N-CH 800V 44A TO-264，包括0.352740盎司的单位重量，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-264中，提供Si等技术特性，配置设计用于单体，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为70 ns，器件的上升时间为75 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为47 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs第栅极-源阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为55ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为43S，沟道模式为增强。
APT44GA60B是IGBT 600V 78A 337W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic下2.5V@15V、26A Vce下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、26A、4.7欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如16ns/84ns，开关能量设计用于409μJ（开）、258μJ（关）、，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为337W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为128nC，集流器脉冲Icm为130A，集流器Ic最大值为78A。
APT44GA60BC带有由APT制造的电路图。APT44GC60BC以TO-247封装形式提供，是IC芯片的一部分。
