9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75GN60BG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75GN60BG参考价格6.46500美元。微芯片技术APT75GN60BG封装/规格：IGBT 600V 155A 536W TO247。您可以下载APT75GN60BG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75GN120LG是IGBT 1200V 200A 833W TO264，包括管封装，它们设计用于0.373904 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3、to-264AA等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-264[L]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供833W最大功率，该设备具有200A的集流器Ic Max，集流器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场阻，集流脉冲Icm为225A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，开关能量为8620μJ（开），11400μJ（关），栅极电荷为425nC，25°C时的Td为60ns/620ns，测试条件为800V、75A、1 Ohm、15V，Pd功耗为833W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为200 A，且栅极-发射极漏电流为600nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且连续集电极电流Ic-Max为200A。
APT75GN60B2DQ3G是IGBT 600V 155A 536W TO264，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.85V@15V、75A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、75A、1 Ohm、15V，提供25°C的Td开/关特性，如47ns/385ns，开关能量设计为在2500μJ（开）、2140μJ（关）下工作，除了536W Power Max外，该设备还可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-264-3、TO-264AA，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型标准，栅极电荷为485nC，集电器脉冲Icm为225A，集电器最大Ic为155A。
APT75GN60B带有APT制造的电路图。APT75GN80B采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
