9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT50GS60BRG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT50GS60BRG参考价格$6.47175。Microchip Technology APT50GS60BRG封装/规格：IGBT 600V 93A 415W TO247。您可以下载APT50GS60BRG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT50GS60BRDQ2G是IGBT 600V 93A 415W TO247，包括Thunderbolt IGBTR系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于ThunderboltHS，以及to-247-3包装箱，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，功率最大值为415W，反向恢复时间trr为25ns，集电器Ic最大值为93A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为195A，最大Vge Ic上的Vce为3.15V@15V，50A，开关能量为755μJ（关），栅极电荷为235nC，25°C下的Td为16ns/225ns，测试条件为400V，40A，4.7 Ohm，15V，Pd功耗为415W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集电极-发射极饱和电压为2.8V，并且在25C下的连续集电极电流为93A，并且栅极-发射极漏电流为100nA，并且最大栅极-发射极电压为30V，并且连续集电极电压Ic-Max为93A。
APT50GR120L是IGBT 1200V 117A 694W TO264，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、50A、4.3 Ohm、15V，提供28ns/237ns等25°C的Td通断特性，除了TO-264供应商器件封装外，该器件还可以用作694W功率最大值。此外，封装为Tube，该器件提供TO-264-3、TO-264AA封装外壳，该器件具有安装类型的通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为445nC，集流器脉冲Icm为200A，集流器Ic Max为117A。
APT50GS60BRDLG是IGBT 600V 93A 415W TO247，包括93A集流器Ic Max，它们设计用于195A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于235nC，提供IGBT类型功能，如NPT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，该设备提供415W最大功率，该设备具有供应商设备包的TO-247，开关能量为755μJ（关），25°C时的Td为16ns/225ns，测试条件为400V、50A、4.7 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为3.15V@15V、50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
