特色
- 低饱和电压：VCE（sat）=最大1.4V
- 低EOFF=6.6µJ/A
- SCWT=8µs@=125°C
- 300V交换SOA能力
- 正温度系数高于50A
应用
- 其他工业
FGH50N3
- 描述:IGBT型: PT 集电极击穿电压: 300伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 463 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 450
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 450+ | 46.92950 | 21118.27545 |
- 库存: 0
- 单价: ¥46.92950
-
数量:
- +
- 总计: ¥21,118.28
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 集电极击穿电压 300伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- IGBT型 PT
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大集电极电流 (Ic) 75 A
- 最大整流电流 (Icm) 240 A
- 最大功率 463 W
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.4V@15V，30A
- 门电荷 180 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 20ns/135ns
- 试验条件 180V, 30A, 5欧姆, 15V
- 开关能量 130J (on), 92J (off)
FGH50N3 产品详情
使用Fairchild的平面技术，该IGBT非常适合在高频下工作的许多高压开关应用，因为低传导损耗是必不可少的。该设备已针对中频开关电源进行了优化。
FGH50N3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FGH0V474ZF | 基美 (AC) | 电容: 470 mF 公差: -20%，+80% 额定电压: 3.5伏 包装/外壳: 径向，Can 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥22.16327 |
 | FGH0H104ZF | 基美 (AC) | 电容: 100 mF 公差: -20%，+80% 额定电压: 5.5 V 包装/外壳: 径向，Can 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥18.4694 |
 | FGH0H224ZF | 基美 (AC) | 电容: 220 mF 公差: -20%，+80% 额定电压: 5.5 V 包装/外壳: 径向，Can 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥20.13526 |
 | FGH0H105ZF | 基美 (AC) | 电容: 1 F 公差: -20%，+80% 额定电压: 5.5 V 包装/外壳: 径向，Can 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥35.41778 |
 | FGH0H474ZF | 基美 (AC) | 电容: 470 mF 公差: -20%，+80% 额定电压: 5.5 V 包装/外壳: 径向，Can 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥31.43419 |
 | FGH40N60SFDTU-F085 | 安盛美 (onsemi) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.07972 |
 | FGHL50T65MQDT | 暂无 | ¥23.22588 | |
| FGHL75T65MQDT | 暂无 | ¥42.84702 | |
| FGHL75T65LQDT | 暂无 | ¥47.36608 | |
| FGH516000000 | EASY CHANGE STYLE MOP HANDLE, ST | ¥0.00 |
FGH50N3所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），FGH50N3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FGH50N3价格参考￥46.929501，你可以下载 FGH50N3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FGH50N3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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