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NGTB35N60FL2WG

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.96724 26.96724
200+ 10.43588 2087.17640
500+ 10.06805 5034.02550
1000+ 9.88939 9889.39000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥26.96724
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.97
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 70 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 门电荷 125 nC
  • 最大功率 300瓦
  • 反向恢复时长 (trr) 68 ns
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 35A
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 试验条件 400V, 35A, 10欧姆, 15V
  • 开关能量 840J (on), 280J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 72ns/132ns

NGTB35N60FL2WG 产品详情

ON Semiconductor的Field Stop II系列IGBT具有坚固且经济高效的Field StopⅡ沟槽结构,并提供优异的性能,提供低导通电压和最小的开关损耗。其特点包括极为高效的沟槽、短路能力、15A至75A的可用速率、开关损耗的减少以及输入电容的减少。这些IGBT非常适合UPS、太阳能、半桥谐振或要求苛刻的开关应用。每个器件中都包含一个软而快速的共封装续流二极管,具有低正向电压。

特色

  • 采用现场停止技术的高效沟槽
  • TJmax=175°C
  • 软快速反向恢复二极管
  • 针对高速切换进行了优化
  • 5µs短路能力

应用

  • 太阳能转化器
  • 不间断电源(UPS)
  • 焊接
NGTB35N60FL2WG所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NGTB35N60FL2WG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NGTB35N60FL2WG价格参考¥26.967243,你可以下载 NGTB35N60FL2WG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NGTB35N60FL2WG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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