HIP2100IR4ZT是一种高频100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器IC。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制并匹配到8ns。这为用户在死区时间选择和驱动程序协议方面提供了最大的灵活性。低压侧和高压侧电源的欠电压保护迫使输出变低。片上二极管消除了其他驱动器IC所需的分立二极管。一种新的电平转换器拓扑结构可产生脉冲操作的低功耗优势和直流操作的安全性。与某些竞争对手不同,高压侧电源短暂欠压后,高压侧输出恢复到正确状态。
特色
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-四芯扁平无引线-封装外形
- 近芯片级封装封装,提高PCB效率并具有更薄的外形