SIC652ACD-T1-GE3

Name: SIC652ACD-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7177528-SIC652ACD-T1-GE3
Price: 19.845546 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:负载的类型: 电感、电容、电阻技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: PowerPAKMLP55-31L 安装类别: 表面安装
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	19.84554	19.84554
10+	17.83926	178.39263
25+	16.86726	421.68165
100+	14.61762	1461.76210
250+	13.86841	3467.10375
500+	12.44402	6222.01300
1000+	10.49496	10494.96200
3000+	12.36906	37107.18600

库存: 2970
单价: ¥19.84555
数量:
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规格参数

制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
部件状态可供货
输出配置半桥
电源电压 4.5伏~5.5伏
工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
技术功率MOSFET
特点自举电路，二极管仿真
负载的类型电感、电容、电阻
应用及使用一般用途
连接口 Logic, PWM
典型导通电阻 3欧姆 LS + HS
输出电流 / 通道 55A
峰值输出电流 100A
负载电压 24伏
故障保护过电流、过温、击穿、UVLO
包装/外壳 PowerPAKMLP55-31L
供应商设备包装 PowerPAKMLP55-31L

SIC652ACD-T1-GE3 产品详情

Vishay SIC621CD 60A VRPower� 集成功率级提供高电流、高效率和高功率密度性能。SIC621CD允许电压调节器设计为每相提供高达60A的连续电流。SIC621CD利用最先进的第四代TrenchFET技术显著降低了开关和传导损耗。SIC621CD结合了零电流检测以提高轻负载效率、集成自举肖特基二极管、自适应死区控制和具有高电流驱动能力的先进MOSFET栅极驱动器IC。

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型号	制造商	描述	价格
SIC-3Z-G9SP	欧姆龙 (Omron)	3 ZONE G9SP	¥1.27506
SIC-1Z-G9SP	欧姆龙 (Omron)	1 ZONE G9SP	¥0.17832
SIC-6Z-DST	欧姆龙 (Omron)	6 ZONE DST	¥0.79526
SIC-3Z-G9SP-CP1W	欧姆龙 (Omron)	3 ZONE W/EXP MOD G9SP	¥0.67359
SIC-4Z-NE1A	欧姆龙 (Omron)	4 ZONE NE1A	¥0.36144
SIC-4Z-G9SP-CP1W	欧姆龙 (Omron)	4 ZONE W/EXP MOD G9SP	¥1.19982
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SIC9536BD		暂无	¥1.05935
SIC9534BD		暂无	¥0.83466
SIC9535BS		暂无	¥0.70287

SIC652ACD-T1-GE3所属分类：桥式驱动器，SIC652ACD-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIC652ACD-T1-GE3价格参考￥19.845546，你可以下载 SIC652ACD-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIC652ACD-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！