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HIP6601BCBZ是IC驱动器MOSFET DUAL 8-SOIC,包括HIP6601B系列,它们设计用于半桥型,包装如数据表注释所示,用于管交替包装,提供单位重量功能,如0.019048盎司,安装类型设计用于SMD/SMT,以及表面安装封装外壳,其工作温度范围为20ns,20纳秒。此外,安装类型为0°C~125°C(TJ),该设备具有独立功能,该器件具有8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)供应商设备包,分辨率位为2,数据接口为同步,电压供应模拟为非反相,电压供应数字为15V,配置为反相非反相,ADC DAC数量为,Sigma Delta为10.8V~13.2V,输出数量为2,其最大工作温度范围为+85 C,其最小工作温度范围为0℃,输出电流为730 mA,下降时间为20 ns,上升时间为50 ns,电源电压最大值为13.2 V,驱动器数量为2个驱动器。
HIP6601BCB-T是IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC,包括15V数字电源,它们设计用于非反相模拟电源,类型如数据表注释所示,用于半桥,提供供应商设备包功能,如8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),Sigma Delta设计用于10.8V~13.2V,以及2个分辨率位,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装材料此外,封装外壳为表面安装,其工作温度范围为20ns、20ns,设备具有数个ADC DAC,安装类型为0°C~125°C(TJ),数据接口为同步。
HIP6601BCB是IC驱动器MOSFET DUAL 8-SOIC,包括同步数据接口,它们设计为在0°C~125°C(TJ)安装类型下工作,ADC DAC的数量如数据表注释所示,用于a中,其工作温度范围为20ns、20ns,封装外壳设计为在表面安装以及管封装中工作,该设备也可以用作2个分辨率位。此外,Sigma Delta的电压为10.8V~13.2V,该器件采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)供应商器件封装,该器件具有半桥类型,模拟电源为非反相,数字电源为15V。