LM5114BSD/NOPB设计用于驱动升压型配置中的低侧MOSFET或驱动隔离拓扑中的次级同步MOSFET。凭借强大的吸收电流能力，LM5114BSD/NOPB可以并行驱动多个FET。LM5114BSD/NOPB还具有驱动低侧增强型氮化镓（GaN）FET所需的功能。LM5114BSD/NOPB提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型中反相和非反向栅极驱动的要求。LM5114BSD/NOPB的输入与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，均可承受高达14V的输入电压。LM5114BSD/NOPB具有分离的门输出，提供了独立调整开关强度的灵活性。LM5114BSD/NOPB具有快速切换速度和最小化传播延迟，便于高频操作。LM5114BSD/NOPB有6针SOT-23封装和6针WSON封装，带有外露焊盘以帮助散热。
特色
- 可控上升和下降时间的独立源和汇输出
- 4-V至12.6-V单电源
- 7.6-A/1.3-A峰值吸收和源极驱动电流
- 0.23-Ω开路漏极下拉接收器输出
- 2-Ω开路漏极上拉电源输出
- 12 ns（典型）传播延迟
- 反相和非反相输入之间的匹配延迟时间
- TTL/CMOS逻辑输入
- 0.68-V输入滞后
- 高达14-V逻辑输入（不考虑VDD电压）
- 低输入电容：2.5-pF（典型）
- -40°C至125°C工作温度范围
- 引脚到引脚兼容MAX5048
- 6针SOT-23
LM5114设计用于驱动升压型配置中的低侧MOSFET或驱动隔离拓扑中的次级同步MOSFET。凭借强大的吸收电流能力，LM5114可以并行驱动多个FET。LM5114还具有驱动低侧增强型氮化镓（GaN）FET所需的功能。LM5114提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型中的反相和非反向栅极驱动的要求。LM5114的输入端与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，均可承受高达14V的输入电压。LM5114具有分流门输出，提供了独立调整开关强度的灵活性。LM5114具有快速切换速度和最小化传播延迟，便于高频操作。LM5114有6针SOT-23封装和6针WSON封装，带有暴露的衬垫以帮助散热。
