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SIC620RCD-T1-GE3带有引脚细节,包括VRPowerR系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于低端,提供封装功能,如Digi-ReelR替代封装,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DrMOS VRPower商品名,该设备也可以用作PowerPAKR MLP55-31L封装盒。此外,该技术是功率MOSFET,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备具有安装型表面安装,特点是自举电路、二极管仿真、状态标志,应用是同步降压转换器,接口是PWM,电压供应为4.5V~5.5V,供应商设备包为PowerPAKR MLP55-31L,配置为非反相,输出数量为1,电流输出通道为60A,故障保护为UVLO,输出配置为半桥,负载类型为感应式,电压负载为4.5V~18V,关机为是,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电流为15mA,输出电流为60A,下降时间为10ns,上升时间为10s,电源电压最大值为18V,电源电压最小值为4.5V,驱动器数量为1个驱动器,关闭时间最大值为130ns。
SIC632ACD-T1-GE3是集成电路CTLR STAGE 50A 3.3V PWM PPAK,包括4.5 V~5.5 V电压源,它们设计用于4.5 V~24 V电压负载。数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术,该功率MOSFET提供供应商器件封装功能,如PowerPAKR MLP55-31L,该系列设计用于VRPowerR,以及Digi-ReelR替代封装,该设备也可以用作PowerPAKR MLP55-31L封装盒。此外,输出配置为半桥,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),设备具有安装型表面安装,负载类型为感应式,接口为PWM,功能为自举电路、二极管仿真、状态标志,故障保护为UVLO,电流输出通道为50A,应用是同步降压转换器。
SIC632CD-T1-GE3是集成电路CTLR STAGE 50A 5V PWM PPAK ML,包括同步降压转换器应用,它们设计用于50A电流输出信道,故障保护如数据表注释所示,用于UVLO,提供诸如自举电路、二极管仿真、状态标志、接口等功能,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备采用半桥输出配置,该设备具有PowerPAKR MLP55-31L包装盒,包装为Digi-ReelR替代包装,该系列为VRPowerR,供应商设备包为PowerPAKR ML P55-31L,该技术为功率MOSFET,电压负载为4.5V~24V,电压源为4.5V~5.5V。
SIC631CD-T1-GE3是集成电路CTLR STAGE 50A 5V PWM PPAK ML,包括VRPowerR系列,它们设计用于UVLO故障保护。数据表说明中显示了同步降压转换器的应用,该转换器提供安装类型功能,如表面安装,接口设计用于PWM,以及PowerPAKR MLP55-31L封装盒,该设备也可以用作PowerPAKR MLP55-31L供应商设备包。此外,该技术为功率MOSFET,该器件为电感负载型,该器件具有半桥输出配置,封装为Digi-ReelR交替封装,其特点是自举电路、二极管仿真,电流峰值输出为55A,电流输出通道为50A,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),电压源为4.5V~5.5V,电压负载为4.5V~24V。