LM5111-3M双栅极驱动器取代了行业标准的栅极驱动器,提高了峰值输出电流和效率。每个复合输出驱动器级包括并联运行的MOS和双极晶体管,它们一起从电容性负载吸收超过5-A峰值。结合MOS和双极器件的独特特性,减少了驱动电流随电压和温度的变化。还提供了欠压锁定保护。驱动器可以并联操作,输入和输出连接到双倍的驱动电流能力。该器件可用于SOIC封装或热增强MSOP PowerPAD封装。
特色
- 独立驱动两个N沟道MOSFET
- 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
- 5-A阱和3-A源电流能力
- 两个通道可以并联连接,使驱动电流加倍
- 独立输入(TTL兼容)
- 快速传播时间(典型25 ns)
- 快速上升和下降时间(分别为14ns和12ns,负载为2-nF)
- 提供双非反相、双反相和组合配置
- 供电轨欠压锁定保护(UVLO)
- LM5111-4 UVLO配置为通过OUT_A驱动PFET,通过OUT_B驱动NFET
- 引脚与行业标准栅极驱动器兼容