UCC27517A-Q1单通道高速低端栅极驱动器器件有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27517A-Q1具有固有的最小化穿透电流的设计，可将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为13纳秒）。
UCC27517A-Q1设备在输入端处理-5 V电压。
UCC27517A-Q1在VDD=12V时提供4-A源和4-A宿（对称驱动）峰值驱动电流能力。
UCC27517A-Q1在4.5 V至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压电平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 汽车设备合格等级1：-40°C至125°C环境工作温度范围
- 设备HBM ESD等级2
- 设备CDM ESD分类等级C6
- 低成本门驱动器设备，提供NPN和PNP分立解决方案的卓越替代
- 4-A峰值源和汇对称驱动
- 处理输入端负电压（-5 V）的能力
- 快速传播延迟（典型值为13 ns）
- 快速上升和下降时间（典型值为9纳秒和7纳秒）
- 4.5至18-V单电源范围
- VDD UVLO期间输出保持低（确保通电和断电时无故障运行）
- TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 高噪声抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（选择反相（IN–引脚）或非反相（IN+引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可用于启用或禁用功能
- 输入引脚浮动时输出保持低
- 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 工作温度范围-40°C至140°C
- 5针DBV（SOT-23）封装选项
UCC27517A-Q1单通道高速低端栅极驱动器器件有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27517A-Q1具有固有的最小化穿透电流的设计，可将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为13纳秒）。
UCC27517A-Q1设备在输入端处理-5 V电压。
UCC27517A-Q1在VDD=12V时提供4-A源和4-A宿（对称驱动）峰值驱动电流能力。
UCC27517A-Q1在4.5 V至18 V的宽VDD范围和-40°C至140°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压电平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
