MCP14E9/E10/E11器件是一系列3A、双输出缓冲区/MOSFET驱动器,每个输出具有单独的启用功能。作为MOSFET驱动器,MCP14E9/E10/E11可以在25纳秒(最大值)以下为1800 pF的栅极电容充电。输入为TTL/CMOS兼容,在高输入电平和低输入电平之间提供300 mV的滞后,使其能够从缓慢上升和下降的信号中驱动,并提供抗噪声能力。
特色
- 高峰值输出电流:3A(典型值)
- 每个驱动器的独立启用功能
- 输出级低穿透/交叉传导电流
- 宽输入电源工作范围:4.5v至18V
- 高容量负载驱动能力:
- 1800 pF,20纳秒(典型值)
- 短延迟时间:40 nsec(典型值)
- 匹配的上升/下降时间
- 低输出阻抗:2.2欧姆(典型值)
- 闭锁保护:可承受1.5A反向电流
- 输入为TTL/CMOS兼容,可承受高达5V的负电压
- ESD保护:4kV