ISL6613BECBZ

ISL6612B和ISL6613BECBZ是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上、下功率N沟道MOSFET。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，构成了高级微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6612B将上栅极驱动至高于上升的VCCPOR（7V），而下栅极可在5V至12V的范围内独立驱动。ISL6613BECBZ在5V至12V的范围内驱动上下栅极。这种驱动电压提供了优化应用所需的灵活性，涉及栅极电荷和传导损耗之间的权衡。这些驱动器针对IBA系统的POLDC/DC转换器进行了优化。集成了先进的自适应过零保护，以防止上部和下部MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。这些产品增加了在VCC超过其导通阈值之前可操作的过电压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。然后，变流器的输出电压受到低侧MOSFET阈值的限制，如果在初始启动过程中上MOSFET短路，则会对微处理器提供一些保护。这些驱动器还具有三态PWM输入，与Intersil的多相PWM控制器一起工作，当输出关闭时，防止输出电压上的负瞬态。此功能消除了肖特基二极管，该二极管用于某些系统中，用于保护负载免受反向输出电压事件的影响。

特色