MIC5019YFT TR是带有集成电荷泵的高端MOSFET驱动器,设计用于在高端或低端应用中切换N沟道增强型MOSFET控制信号。
MIC5019YFT TR工作电压为2.7V至9V,从3V电源产生9.2V的栅极电压,从9V电源产生16V的栅极。该设备在关机模式下消耗低77µa的电源电流,且电源电流小于1µa。
在高端配置中,MOSFET的源极电压在接通时接近电源电压。为了保持MOSFET接通,MIC5019的输出驱动MOSFET栅极电压高于电源电压。
MIC5019YFT TR采用超小型4针1.2mm x 1.2mm薄型QFN封装,额定结温范围为-40°C至+125°C。
特色
- 4针1.2mm x 1.2mm薄型QFN封装
- +2.7V至+9V电源电压范围
- VDD=9V时的16V栅极驱动
- VDD=2.7V时的8V栅极驱动
- 在低端和高端配置中运行
- VDD=5V时的150µA(典型)电源电流
- <1µA停机电源电流
- -40°C至+125°C结温范围