MD1810K6-G是一种高速四MOSFET驱动器。它被设计用于驱动用于医学超声成像应用的高压P沟道和N沟道MOSFET。MD1810K6-G还可用于超声波金属探伤、无损检测（NDT）、压电换能器驱动、时钟驱动和PIN二极管驱动。MD1810K6G有四个输入，分别控制四个输出。它还有一个输出使能（OE）引脚。当OE低时，无论其逻辑输入控制如何，所有输出都将处于高阻抗状态。当OE为高时，MD1810K6-G将阈值逻辑转换设置为（VOE+VGND）/2。这确保了转换总是在逻辑输入信号的幅度的一半。这允许设备具有固有的传播延迟匹配，而与逻辑输入幅度无关。MD1810K6-G的输出级具有独立的电源连接，使得能够独立于VDD和VSS电源电压来选择输出信号L和H电平。例如，输入逻辑电平可以是0和1.8V，控制逻辑可以由+5.0和-5.0V供电，输出L和H电平可以在-5.0到+5.0V范围内的任何地方变化。输出级的峰值电流可达±2.0A，取决于所使用的电源电压和负载电容。
特色
- 1000pF负载下的6.0ns上升和下降时间
- 2.0A峰值输出源/汇电流
- 1.8至5.0V输入CMOS兼容
- 5.0至12V总电源电压
- 智能逻辑阈值
- 低抖动设计
- 四个匹配的通道
- 输出可在地面以下摆动
- 禁用时输出为高阻抗
- 低电感封装
- 高性能热增强QFN
