特色
- 高电流输出级：1.0 A源/2.0 A汇
- 传统和感应IGBT的保护电路
- 可编程故障消隐时间
- 过电流和短路保护
- 针对IGBT的欠压锁定优化
- 负栅极驱动能力
- 经济高效地驱动功率MOSFET和双极晶体管
- 提供无铅包装
（图片：引出线）
MC33153DR2G
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 11伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.50944 | 10.50944 |
| 10+ | 9.33239 | 93.32390 |
| 30+ | 9.14322 | 274.29660 |
| 100+ | 8.26042 | 826.04260 |
- 库存: 11218
- 单价: ¥10.50945
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.51
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 驱动器配置 低压侧
- 高侧最大电压 (自举) -
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 输入类别 反相
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 通道类型 单个的
- 驱动器数量 one
- 电源电压 11伏~20伏
- 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、3.2伏
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 1A、2A
- 上升/下降时长（典型值） 17ns, 17ns
MC33153DR2G 产品详情
MC33153DR2G专门设计为IGBT驱动器，用于高功率应用，包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT，但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了一种经济高效的解决方案。设备保护功能包括选择去饱和或过电流传感和欠压检测。这些设备有双列直插式和表面安装式两种封装，包括以下功能：
MC33153DR2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MC33941EGR2 | 恩智浦 (NXP) | 放大器的种类: 外部输入 输出类别: 模拟 电源电压: 9V～18V 工作电流: 8 mA 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥1,817.09875 |
 | MC3 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | SEN PROX MAG RECT NC | ¥95.08479 |
 | MC3416 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 频段宽度: 64赫兹 ~ 512赫兹 供应商设备包装: 12-LGA（2x2） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥6.0009 |
 | MC3419 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 频段宽度: 0.25赫兹～500赫兹 供应商设备包装: 12-LGA（2x2） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥4.97097 |
 | MC3632 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 供应商设备包装: 12-LGA（2x2） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥16.44138 |
 | MC3630 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 12-VLGA（2x2） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥6.0009 |
 | MC3635 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 10-LGA（1.6x1.6） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥18.4694 |
 | MC3672 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 8-CSP (1.29x1.09) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥57.79834 |
 | MC3479 | 美新半导体 (Memsic) | 种类: 数字的 加速度阈值: ±2g, 4g, 8g, 12g, 16g 频段宽度: 0.25赫兹～500赫兹 供应商设备包装: 12-LGA（2x2） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥40.98685 |
| MC300E2-C-23-8PN | 泰科航天 (TE) | RECEPTACLE ASSY.PIN.MC3/2 | ¥3,868.43289 |
MC33153DR2G所属分类：栅极驱动器，MC33153DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MC33153DR2G价格参考￥10.509448，你可以下载 MC33153DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MC33153DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
