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MC34151DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6.5V ~ 18V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.32598 13.32598
10+ 11.69701 116.97016
30+ 10.67759 320.32797
100+ 9.63716 963.71640
500+ 9.16423 4582.11950
1000+ 8.95405 8954.05000
  • 库存: 4421
  • 单价: ¥13.32598
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.33
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 0摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A,1.5A
  • 电源电压 6.5V ~ 18V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.6伏
  • 上升/下降时长(典型值) 31ns, 32ns

MC34151DR2G 产品详情

MOSFET和IGBT驱动器,ON半导体

低压侧、高压侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。

特色

  • 两个独立通道,1.5 A图腾柱输出
  • 1000 pF负载时15 ns的输出上升和下降时间
  • 具有滞后的CMOS/LSTTL兼容输入
  • 带滞后的欠压锁定
  • 低待机电流
  • 高效的高频操作
  • 使用通用开关调节器控制IC提高系统性能
  • 引脚输出等效于DS0026和MMH0026


(图片:引出线)

MC34151DR2G所属分类:栅极驱动器,MC34151DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC34151DR2G价格参考¥13.325980,你可以下载 MC34151DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC34151DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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