MIC4103和MIC4104YM是高频100V半桥MOSFET驱动器，具有比MIC4100和MIC4101驱动器更快的关断特性。它们具有快速的24ns传播延迟时间和6ns驱动器下降时间。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制，并匹配到典型的3ns以内。MIC4103具有CMOS输入阈值，MIC4104YM具有TTL输入阈值。MIC4103/4包括一个高压内部二极管，为高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个坚固、高速和低功率电平转换器为高压侧输出提供干净的电平转换。MIC4103/4的稳健操作有助于确保输出不受电源故障、HS地面以下振铃或高速电压转换的HS回转的影响。低压侧和高压侧驱动器均提供欠压保护。MIC4103和MIC4104YM采用8引脚SOIC封装，工作结温度范围为-40°C至+125°C。
特色
- 不对称低阻抗输出驱动1000pF负载，上升时间10ns，下降时间6ns
- 自举电源最大电压为118V DC
- 电源电压高达16V
- 驱动具有独立输入的高侧和低侧N沟道MOSFET
- CMOS输入阈值（MIC4103）
- TTL输入阈值（MIC4104）
- 片上自举二极管
- 快速24ns传播时间
- 低功耗
- 电源欠压保护
- 典型的2.5Ω上拉和1.25Ω下拉输出驱动器电阻
- -40°C至+125°C结温范围
