低压侧、高压侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。
NCP1393BDR2G
- 描述:负载的类型: 电感、电容、电阻 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥(2) 电源电压: 16伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 34.17672 | 34.17672 |
10+ | 30.14109 | 301.41097 |
30+ | 27.67137 | 830.14128 |
- 库存: 0
- 单价: ¥34.17673
-
数量:
- +
- 总计: ¥34.18
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规格参数
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 技术 功率MOSFET
- 负载的类型 电感、电容、电阻
- 输出配置 半桥(2)
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 输出电流 / 通道 -
- 故障保护 直通
- 连接口 On/Off
- 负载电压 16伏
- 部件状态 不适用于新设计
- 应用及使用 交流负载,灯泡,通用
- 典型导通电阻 5毫欧姆 LS, 12毫欧姆 HS
- 峰值输出电流 1A
- 电源电压 16伏
- 特点 自举电路,内部振荡器
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
NCP1393BDR2G 产品详情
MOSFET和IGBT驱动器,ON半导体
NCP1393BDR2G所属分类:桥式驱动器,NCP1393BDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP1393BDR2G价格参考¥34.176725,你可以下载 NCP1393BDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP1393BDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...