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ISL6594DCBZ

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 6.8V ~ 13.2V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 逻辑电压-VIL、VIH -
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 制造厂商
  • 部件状态 过时的
  • 工作温度 0摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.25A,2A
  • 高侧最大电压 (自举) 36伏
  • 上升/下降时长(典型值) 26ns, 18ns
  • 电源电压 6.8V ~ 13.2V

ISL6594DCBZ 产品详情

ISL6594DCBZ是一款高频MOSFET驱动器,专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上、下功率N沟道MOSFET。该驱动器与ISL6594DCBZ数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合,形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6594DCBZ在4.5V至13.2V的范围内驱动上下栅极。该驱动电压提供了优化应用所需的灵活性,包括栅极电荷和传导损耗之间的权衡。集成了先进的自适应过零保护,以防止上部和下部MOSFET同时导通,并最小化死区时间。ISL6594DCBZ包括在VCC超过其导通阈值之前操作的过电压保护功能,在该阈值下,PHASE节点连接到低侧MOSFET(LGATE)的栅极。然后,转换器的输出电压受到低侧MOSFET的阈值的限制,如果上MOSFET短路,这会为微处理器提供一些保护。ISL6594DCBZ还具有识别高阻抗状态的输入,与Intersil多相PWM控制器一起工作,以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要,该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。

特色

  • 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
  • 引脚到引脚与ISL6596兼容
  • 先进的自适应过零保护
  • 身体二极管检测
  • rDS(ON)传导偏移效应的自动归零
  • 可调栅极电压,实现最佳效率
  • 36V内部自举肖特基二极管
  • 防止自举电容器过充电
  • 支持高开关频率(高达2MHz)
  • 3A下沉电流能力
  • 快速上升/下降时间和低传播延迟
  • 针对3.3V PWM输入进行了优化
  • 输出级停机的三态PWM输入
  • 具有功率排序要求的应用的三态PWM输入滞后
  • 预POR过电压保护
  • VCC欠电压保护
  • 用于增强散热的可膨胀底部铜垫
  • 双平面无引线(DFN)封装
  • 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
  • 无铅(符合RoHS)


ISL6594DCBZ所属分类:栅极驱动器,ISL6594DCBZ 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISL6594DCBZ价格参考¥20.569836,你可以下载 ISL6594DCBZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISL6594DCBZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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