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IXDD614SI是14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB，包括IXDD614系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于低端，提供管等封装功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作Clare商品名。此外，包装箱为表面安装，其工作温度范围为25ns、18ns，装置的安装类型为-55°C~150°C（TJ），供应商设备包为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘，分辨率位为1，数据接口为单一，电压源模拟为非反相，ADC DAC数量为，∑-Δ为4.5 V ~ 35 V，S N比ADC DAC db Typ为0.8V，3V，动态范围ADC DAC db Typ为14A，14A，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为10uA，输出电流为4A，下降时间为40ns，上升时间为50ns，电源电压Max为35V，电源电压Min为4.5V，驱动器数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为70ns，最大接通延迟时间为70 ns。
IXDD614SI T/R是由IXYS制造的14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB。IXDD614SI T/R采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘封装，是PMIC-栅极驱动器的一部分，支持14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB。
IXDD614SIA，带有IXYS制造的电路图。IXDD614SIA在SOP包中提供，是IC芯片的一部分。
