LM5109B-Q1是一种成本有效的高压栅极驱动器，设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达90 V的轨电压下工作。输出由TTL/CMOS兼容逻辑输入阈值独立控制。鲁棒的电平移位技术以高速运行，同时消耗低功率并提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该设备在热增强型WSON（8）封装中可用。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下
- 设备温度等级1
- 设备HBM ESD等级1C
- 设备CDM ESD分类等级C4A
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 1-A峰值输出电流（1.0-A漏极/1.0-A源极）
- 独立TTL/CMOS兼容输入
- 自举电源电压至108V DC
- 快速传播时间（典型30 ns）
- 驱动1000 pF负载，上升和下降时间为15 ns
- 出色的传播延迟匹配（典型值为2 ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 热增强型WSON-8封装
LM5109B-Q1是一种成本有效的高压栅极驱动器，设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达90 V的轨电压下工作。输出由TTL/CMOS兼容逻辑输入阈值独立控制。鲁棒的电平移位技术以高速运行，同时消耗低功率并提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该设备在热增强型WSON（8）封装中可用。
