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TD351IDT

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 12V ~ 26V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.07683 21.07683
10+ 18.89672 188.96726
25+ 17.86388 446.59722
100+ 15.48314 1548.31470
250+ 14.68918 3672.29525
500+ 13.18048 6590.24250
1000+ 13.10856 13108.56300
2500+ 13.10856 32771.40750
  • 库存: 10347
  • 单价: ¥21.29413
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.08
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 驱动器配置 高压侧
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 电源电压 12V ~ 26V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、4.2伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.3A、1.7A
  • 上升/下降时长(典型值) 100ns,100ns(最大值)

TD351IDT 产品详情

该器件是IGBT和功率MOSFET的高级栅极驱动器。包括控制和保护功能,允许设计高可靠性系统。

创新的主动米勒钳位功能消除了大多数应用中对负栅极驱动的需求,并允许为高端驱动器使用简单的自举电源。
TD351IDT包括具有可调电平和延迟的两级关断功能。在过电流或短路条件下,该功能可防止关断时过电压。在接通时施加相同的延迟以防止脉冲宽度失真。
TD351IDT兼容脉冲变压器和光耦合器信号。

特色

  • 1.7 A吸收/1.3 A源(典型)电流能力
  • 主动米勒钳位功能
  • 具有可调电平和延迟的两级关断
  • 输入与脉冲变压器或光耦兼容
  • UVLO保护
  • 2 kV ESD保护


TD351IDT所属分类:栅极驱动器,TD351IDT 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TD351IDT价格参考¥21.294126,你可以下载 TD351IDT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TD351IDT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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