TD352IDT

Name: TD352IDT
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7177806-TD352IDT
Price: 26.683488 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧通道类型: 单个的电源电压: 12V ~ 26V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	26.68348	26.68348
10+	23.76186	237.61862
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数量:
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规格参数

部件状态可供货
高侧最大电压 (自举) -
安装类别表面安装
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SOIC
输入类别非反相
闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
通道类型单个的
驱动器数量 one
驱动器配置高压侧
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
电源电压 12V ~ 26V
逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、4.2伏
波峰值电流输出（灌入，提拉） 1.3A、1.7A
上升/下降时长（典型值） 100ns，100ns（最大值）

TD352IDT 产品详情

该器件是IGBT和功率MOSFET的高级栅极驱动器。包括控制和保护功能，允许设计高可靠性系统。

创新的主动米勒钳位功能消除了大多数应用中对负栅极驱动的需求，并允许为高端驱动器使用简单的自举电源。
TD352IDT包括可调节的开启延迟。该特性可用于在半桥的高侧和低侧之间实现可靠的空载时间。外部电阻器和电容器用于提供准确的定时。

特色

1.7 A吸收/1.3 A源（典型）电流能力
主动米勒钳位功能
去饱和检测
可调开启延迟
UVLO保护
2k V ESD保护

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型号	制造商	描述	价格
TD3J-1A	英国城市技术 (City)	TX SO2 T3SF 0-1000PPM SMD O/P	¥3,135.08495
TD3G-1A	英国城市技术 (City)	TX SO2 T3SF 0-200PPM SMD O/P	¥3,043.67474
TD3K-1A	英国城市技术 (City)	TX SO2 T3SF 0-2000PPM SMD O/P	¥2,865.61298
TD310N20KOFHPSA1	英飞凌 (Infineon)	构造: 串联-SCR/二极管断态电压: 2.6千伏最大通态方均根电流 (It (RMS)): 700 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR，1个二极管包装/外壳: 模块工作温度: -40摄氏度~125摄氏度	¥694.26046
TD310N22KOFHPSA1	英飞凌 (Infineon)	构造: 串联-SCR/二极管断态电压: 2.6千伏最大通态方均根电流 (It (RMS)): 700 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1个SCR，1个二极管包装/外壳: 模块工作温度: -40摄氏度~125摄氏度	¥899.54066
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TD352IDT所属分类：栅极驱动器，TD352IDT 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TD352IDT价格参考￥26.683488，你可以下载 TD352IDT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TD352IDT规格参数、现货库存、封装信息等信息！