由VISHAY SILICONIX制造的SIC780ACD-T1-GE3零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的SIC780ACD-T1-GE3组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SIC780ACD-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SIC779CD-T1-GE3是IC BUCK ADJ 40A 40MLP，包括MOSFET栅极驱动器产品，它们设计用于高侧低侧类型，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于DrMOS VRPower，以及PowerPAKR MLP66-40包装盒，该器件也可以用作DrMOS技术，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有自举电路、二极管仿真、特性状态标志和应用程序为同步降压转换器，接口为PWM，电压供应为4.5V~5.5V，供应商设备包为PowerPAKR MLP66-40，配置为非反相，输出数量为1输出，电流输出通道为40A，故障保护为过温、穿透、UVLO，输出配置为半桥，负载类型为感应式，电压负载为3V~16V，关机为关机，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，输出电压为5V，工作电源电流为600uA，输出电流为40A，下降时间为8ns，上升时间为8s，部件号别名为SIC779CD-GE3，电源电压最大值为16V，并且电源电压Min是3V，并且驱动器的数量是1个驱动器，并且最大关断延迟时间是20ns。
SIC779ACD-T1-GE3，带有用户指南，包括4.5 V~5.5 V电源，设计用于3 V~16 V电压负载，产品名称显示在数据表注释中，用于DrMOS VRPower，提供DrMOS等技术功能，供应商设备包设计用于PowerPAKR MLP66-40，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作PowerPAKR MLP66-40封装盒。此外，输出配置为半桥，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），设备具有安装型表面安装，负载类型为感应式，接口为PWM，功能为自举电路、二极管仿真、状态标志，故障保护为过温、穿透、UVLO，电流输出通道为35A，应用是同步降压转换器。
SIC779CD-T1，带有vishay制造的电路图。SIC779CD-T1采用QFN封装，是PMIC全半桥驱动器的一部分。
