SIC645ADR-T1-GE3
- 描述:负载的类型: 归纳 技术: NMOS 输出配置: 半桥 电源电压: 4.75~5.25伏 供应商设备包装: PowerPAKMLP55-32双重冷却 安装类别: 表面安装
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 40.19863 | 40.19863 |
10+ | 35.22766 | 352.27669 |
30+ | 32.20094 | 966.02844 |
- 库存: 0
- 单价: ¥40.19864
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数量:
- +
- 总计: ¥96,602.84
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规格参数
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 部件状态 可供货
- 输出配置 半桥
- 连接口 PWM
- 负载的类型 归纳
- 峰值输出电流 -
- 安装类别 表面安装
- 应用及使用 同步降压转换器、电压调节器
- 输出电流 / 通道 -
- 特点 引导电路,状态标志
- 负载电压 4.5伏~18伏
- 技术 NMOS
- 典型导通电阻 0.76毫欧姆 LS,3.6毫欧姆 HS
- 电源电压 4.75~5.25伏
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TJ)
- 故障保护 限流、超温、击穿、UVLO
- 包装/外壳 32-PowerWFQFN
- 供应商设备包装 PowerPAKMLP55-32双重冷却
SIC645ADR-T1-GE3 产品详情
Vishay Siliconix的SiC645是一款智能VRPower器件,它集成了高端和低端MOSFET以及具有集成自举FET的高性能驱动器。SiC645提供高精度电流和温度监测器,可反馈至控制器和倍增器,以完成多相DC/DC系统。它们通过消除DCR传感网络和相关的热补偿来简化设计并提高性能。通过专用的左侧控制销支持轻负载效率。业界领先的热增强、双冷却、5 mm x 5 mm PowerPAK MLP封装允许最小的PCB整体面积和低剖面结构。该设备具有3.3 V(SiC645A)或5 V(SiC6 45)兼容的三态PWM输入,与多相PWM控制器一起工作,将在异常操作条件下提供稳健的解决方案。SiC645还通过集成UVLO、过热和过流故障保护,提高了系统性能和可靠性。漏极开路故障报告引脚简化了智能VRPower设备和多相控制器之间的握手,并可用于在启动和故障条件下禁用控制器。
SIC645ADR-T1-GE3所属分类:桥式驱动器,SIC645ADR-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIC645ADR-T1-GE3价格参考¥40.198638,你可以下载 SIC645ADR-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIC645ADR-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...