所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可以向电容性负载提供大的峰值电流。这些驱动器采用了一种固有的最小化穿透电流的设计，在MOSFET开关转换期间，在米勒平台区域，在最需要的地方提供4A的电流。一个独特的双极和MOSFET混合输出级并联也允许在低电源电压下提供充足的电流源和电流下沉。
该器件采用标准SOIC-8（D）封装。
特色
- 具备汽车应用资格
- 行业标准引线
- 米勒高原地区±4A的高电流驱动能力
- 即使在低电源电压下也能实现高效的恒流源
- TTL和CMOS兼容输入，与电源电压无关
- 1.8-nF负载下20 ns典型上升时间和15 ns典型下降时间
- 输入下降时的典型传播延迟时间为25ns，输入上升时为35ns
- 4 V至15 V的电源电压
- 0.3 mA的电源电流
- 双输出可并联以获得更高的驱动电流
- 额定温度TJ=-40°C至125°C
- TrueDrive？并行使用双极和CMOS晶体管的输出结构
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可以向电容性负载提供大的峰值电流。这些驱动器采用了一种固有的最小化穿透电流的设计，在MOSFET开关转换期间，在米勒平台区域，在最需要的地方提供4A的电流。一个独特的双极和MOSFET混合输出级并联也允许在低电源电压下提供充足的电流源和电流下沉。
该器件采用标准SOIC-8（D）封装。
