UCC27201D

• 驱动高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
• HS上的负电压处理（–5 V）
• 最大启动电压120 V
• 最大VDD电压为20 V
• 片上0.65-V VF，0.6-ΩRD自举二极管
• 工作频率大于1 MHz
• 20ns传播延迟时间
• 3-A接收器和3-A源输出电流
• 1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
• 1-ns延迟匹配
• 高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
• 规定温度为-40°C至140°C

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端和低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并与彼此的接通和断开之间的1ns相匹配。

片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，迫使输出变低。

提供两种版本的UCC27200。UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值，而UCC27201具有TTL兼容阈值。