UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端/低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、两个开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器被独立地控制，并且在彼此的导通和截止之间匹配为1-ns。UCC2720xA基于流行的UCC27200/1驱动程序，但提供了一些增强功能。为了提高在噪声电源环境中的性能，UCC2720xA具有增强的ESD输入结构，并且能够在其HS引脚上承受最大–18 V的电压。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，迫使输出变低。
提供两种版本的UCC27200ADRCT。UCC27200ADRCT具有高噪声免疫CMOS输入阈值，而UCC27201A具有TTL兼容阈值。
这两种器件均提供8引脚SOIC（D）、PowerPad SOIC-8（DDA）、SON-8（DRM）封装、9引脚SON-9（DRC）封装和10引脚SON-10（DPR）封装。
特色
- 驱动高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
- HS上的负电压处理（–18V）
- 最大启动电压120 V
- 最大VDD电压20 V
- 片上0.65-V VF，0.6-ΩRD自举二极管
- 工作频率大于1 MHz
- 20ns传播延迟时间
- 3-A汇点，3-A源输出电流
- 1000 pF负载时8-ns上升/7-ns下降时间
- 1-ns延迟匹配
- 高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
- 提供8引脚SOIC（D）、PowerPAD？SOIC-8（DDA）、SON-8（DRM）、SON-9（DRC）和SON-10（DPR）封装
- 规定温度为-40°C至140°C
UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端/低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、两个开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器被独立地控制，并且在彼此的导通和截止之间匹配为1-ns。UCC2720xA基于流行的UCC27200/1驱动程序，但提供了一些增强功能。为了提高在噪声电源环境中的性能，UCC2720xA具有增强的ESD输入结构，并且能够在其HS引脚上承受最大–18 V的电压。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，迫使输出变低。
提供两种版本的UCC27200A。UCC27200A具有高噪声免疫CMOS输入阈值，而UCC27201A具有TTL兼容阈值。
这两种器件均提供8引脚SOIC（D）、PowerPad SOIC-8（DDA）、SON-8（DRM）封装、9引脚SON-9（DRC）封装和10引脚SON-10（DPR）封装。
