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PWD5F60TR

  • 描述:负载的类型: 归纳 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥(2) 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 46-VFQFPN (15x7) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 48.45500 48.45500
10+ 43.53707 435.37072
25+ 41.15705 1028.92637
100+ 35.66838 3566.83850
250+ 33.83940 8459.85200
500+ 30.36397 15181.98750
1000+ 30.19840 30198.40200
2500+ 30.19840 75496.00500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥44.03683
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥48.46
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 负载的类型 归纳
  • 安装类别 表面安装
  • 负载电压 -
  • 技术 功率MOSFET
  • 故障保护 欠压保护
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 连接口 Logic
  • 特点 -
  • 输出配置 半桥(2)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 应用及使用 工业的
  • 典型导通电阻 1.38欧姆
  • 输出电流 / 通道 3.5A
  • 峰值输出电流 14A
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 包装/外壳 46-PowerVQFN
  • 供应商设备包装 46-VFQFPN (15x7)

PWD5F60TR 产品详情

PWD5F60TR是一种先进的封装电源系统,集成了双半桥配置的栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。

集成功率MOSFET具有RDS(打开)1.38Ω和600 V漏极-源极击穿电压,而嵌入式栅极驱动器高压侧可由集成自举二极管轻松供电。该设备的高度集成允许在极小的空间内高效地驱动负载。
PWD5F60TR接受在宽范围(10 V至20 V)内延伸的电源电压(VCC),并且在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护,防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
扩展的输入引脚范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
PWD5F60TR嵌入了两个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。
PWD5F60TR在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。
该设备采用紧凑型VFQFPN封装。

特色

  • RDS(打开)= 1.38
  • BV公司决策支持系统=600伏
  • 适用于作为
    • 全桥
    • 双独立半桥
  • 低压侧和高压侧的UVLO保护
  • 3.3 V至15 V兼容输入,具有滞后和下拉功能
  • 内部自举二极管
  • 未提交的比较器
  • 可调停滞时间
  • 材料缩减清单
  • 非常紧凑和简化的布局
  • 灵活、简单、快速的设计

  • PWD5F60TR所属分类:桥式驱动器,PWD5F60TR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PWD5F60TR价格参考¥44.036832,你可以下载 PWD5F60TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PWD5F60TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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