PWD5F60TR是一种先进的封装电源系统,集成了双半桥配置的栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。
集成功率MOSFET具有RDS(打开)1.38Ω和600 V漏极-源极击穿电压,而嵌入式栅极驱动器高压侧可由集成自举二极管轻松供电。该设备的高度集成允许在极小的空间内高效地驱动负载。
PWD5F60TR接受在宽范围(10 V至20 V)内延伸的电源电压(VCC),并且在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护,防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
扩展的输入引脚范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
PWD5F60TR嵌入了两个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。
PWD5F60TR在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。
该设备采用紧凑型VFQFPN封装。
特色
- RDS(打开)= 1.38
- BV公司决策支持系统=600伏
- 全桥
- 双独立半桥