ISL6608IB是一款高频MOSFET驱动器,经过优化,可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器相结合,形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案,在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低电压电源(5V)偏置,并在高开关频率应用下使MOSFET栅极电荷导致的栅极驱动损耗最小化。每个驱动器能够以低传播延迟和小于10ns的转换时间驱动3000pF负载。该产品使用内部自举肖特基二极管在上栅极上实现自举,从而降低了实现成本和复杂性,并允许使用更高性能、经济高效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护,以防止两个MOSFET同时导通。ISL6608IB具有用于下栅极驱动器的4A吸收电流,其能够在相节点上升沿期间保持下MOSFET栅极,以防止由相节点的高dv/dt引起的穿透功率损失。ISL6608IB还具有三态PWM输入,该输入与Intersil多相PWM控制器一起工作,将防止输出关闭时输出电压出现负瞬态。此功能消除了通常在微处理器电源系统中用于保护微处理器免受反向输出电压事件影响的肖特基二极管。ISL6608IB中集成了二极管仿真功能,以提高轻负载条件下的转换器效率。二极管仿真还可以防止在输出端带有预偏置电压的情况下启动时出现负瞬态。当启用二极管仿真时,驱动器通过检测电感器电流何时达到零并随后关闭低侧MOSFET,从而允许不连续导通模式,从而防止输出吸收电流并在预偏置输出上产生负瞬态(参见第7页图6和图7)。
特色
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 自适应穿透保护
- 0.5Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高达2MHz的高开关频率
- 快速输出上升/下降时间和低传播延迟
- 功率级停机的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流(5V,80µA)
- 用于增强轻负载效率和预偏置启动应用的二极管仿真
- 集成VCC POR(通电复位)功能
- 低三态停机延迟时间(通常为160ns)
- 引脚到引脚兼容ISL6605
- QFN包:
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-四芯扁平无引线-封装外形
- 近芯片级封装占地面积,可提高PCB效率并具有更薄的外形
- 无铅可选